原創首發 | 金角財經（ID: F-Jinjiao)

作者 | 田羽

長鑫科技的千億利潤，沒能擋住股價的大起大落。

10月28日，長鑫科技又坐了一趟過山車：開盤漲超4%，隨後漲幅一度收窄至0.28%，截至發稿，漲幅又回到3%以上。

但在這輪回升之前，這位曾經市值突破4萬億元的“中國股王”，已經讓股民挨了一個月的跌。公司股價從9月23日的58.62元，下探至10月23日盤中最低38.75元，一度跌去約三分之一。而它上市至今，也才剛滿三個月。

偏偏長鑫的生意，好得驚人。今年前三季度，公司預計營收達到2650億元至2700億元，是去年同期的8倍多；歸母淨利潤預計達到1310億元至1325億元，而去年同期還虧損52.8億元。

面對股價波動，高盛依然維持看多立場，將目標價由129元微調至130元。若按約678.84億股的總股本計算，其對應市值將達到約8.82萬億元，相當於當前市值的約3倍。

預賺千億、國際大行看至近9萬億市值，投資者卻開始擔憂紅利即將見頂。長鑫究竟能靠什麼，才能讓市場確信不只會賺這一輪的錢？

高盛看到了9萬億

先來看看長鑫科技的炸裂業績。

業績預告顯示，2026年前三季度，長鑫科技預計實現營收2650億元至2700億元，相比去年同期的320.84億元，營收增加至原來的8倍多；歸母淨利潤達1310億元至1325億元，相較去年同期52.8億元的虧損實現爆發式逆襲。

事實上，僅今年上半年，公司營收就已達1503.1億元，同比增長873.6%；扣非歸母淨利潤達787.9億元，遠超去年同期的虧損23.9億元。

這輪賺錢的速度，連公司此前給出的預期，都沒能跟上。

今年5月，長鑫在招股書申報稿中預測上半年營收爲1100億元至1200億元，扣非歸母淨利潤爲520億元至580億元。最終落地的各項財務數據，均顯著超越了預期上限。

最直接的原因，當然是存儲芯片漲價。不過，行情再好，也得有合適的產品、有足夠的產能，才能接住訂單。長鑫過去幾年的投入，恰好在這時候開始見效。

先看產品。

過去，長鑫的收入主要依靠LPDDR系列，也就是常見於智能手機等移動設備的低功耗內存。隨着AI算力和數據中心建設升溫，面向服務器、電腦等市場的DDR產品，開始貢獻核心增量。

2023年，DDR產品營收佔比僅約兩成；而到了今年上半年，該比例已大幅提升至46.22%，佔據近半壁江山。長鑫的產品線，也隨之從過去偏重的移動設備市場，進一步向電腦、服務器等領域擴展。

與此同時，工廠的生產能力也在增加。

2023年末，公司固定資產賬面價值爲844.52億元，到今年6月底已經增至1815.63億元。僅2025年，合肥一期、合肥二期及北京生產線，就有約520.15億元在建工程轉入固定資產。

這些生產線也跑得更滿了。公司12英寸晶圓生產線的產能利用率，從2023年的87.06%升至2025年的95.73%，今年上半年繼續保持高位。

不過，長鑫科技業績雖然炸裂，但市場對此多少已經有了預期，因此股價突然反彈背後可能還有消息面的推動。

其中一條重磅消息就來自英偉達創始人黃仁勳。當地時間10月22日，黃仁勳在柏林GTC大會期間接受採訪時表示，到2029年，內存芯片市場出現供應過剩的可能性不大。他還特別提到，英偉達是全球首家將LPDDR內存引入數據中心的公司，由此實現了顯著的能效提升，未來仍會繼續大量使用這類內存。

當被問及英偉達是否考慮與中國長鑫存儲展開合作時，黃仁勳並沒有直接否定，而是明確表示對此持開放態度。

賣方機構亦密集釋放強烈看多信號。中國銀河證券在9月下旬的研報中預測，到2028年，長鑫科技的年營收將突破8500億元，歸母淨利潤將超5600億元。

高盛則基於三季度業績指引，進一步上調了公司2026至2030年的盈利預測，核心依據在於中國本土DRAM需求的強勁釋放，以及全球客戶分散供應鏈帶來的結構性紅利。高盛將長鑫未來12個月的目標價微調至130元，維持“買入”評級。

若按678.84億股總股本折算，130元的目標價將推升長鑫科技總市值至8.82萬億元。參照10月26日收盤價及匯率計算，這一市值不僅將超越三星電子和美光科技，更相當於特斯拉總市值的85%左右。

至少在這些看多的研報裏，長鑫最賺錢的時候，還沒有到。

除了周期紅利，長鑫還有什麼

近9萬億元的預期，不能只靠今年這一份利潤來算。長鑫需要讓市場相信，眼下的賺錢能力，還能維持相當一段時間。

難就難在，存儲芯片恰好是一門周期性很強的生意。手機、電腦賣得好，芯片缺貨、漲價，廠商便砸錢擴產。等新產能陸續投產，需求卻可能已經降溫，庫存積壓，價格下跌，廠商又得減產、清庫存，等待下一輪復蘇。

2022至2023年的行業寒冬歷歷在目。2022年11月，美光科技被迫宣布將DRAM和NAND晶圓投片量削減20%。即便是全球存儲巨頭，也難逃周期下行時的戰略收縮。

歷史上，DRAM行業存在清晰的“三年周期律”。若按此規律推演，本輪始於2025年下半年的行業上行期，可能在2028年前後再次面臨產能釋放與需求放緩的考驗。

市場核心的擔憂在於：當本輪擴產產能全部釋放後，是否存在足夠的下遊需求消化新增供給？

但這一次，需求確實有了變化。

不同於以往單純依賴消費電子（手機、PC）換機潮驅動，AI基礎設施的建設正在爲存儲產業注入海量的剛性增量需求。

應用端的變化已經相當直觀。

OpenRouter披露，2026年9月14日當周，該平臺Token用量達到128.4萬億。希捷則在2025年投資者日援引IDC預測，2028年全球全年創建和復制的數據量將達到394ZB，相當於2020年72ZB的約5.5倍。AI大模型的參數加載與實時推理，無一不需要海量高效的DRAM作爲算力支撐。

更直接的證據，是科技公司正在花出去的錢。

根據IDC數據，全球AI基礎設施支出從2024年的1530億美元增加到2025年的3180億美元，2026年預計達到4970億美元，同比增長約56%；到2030年，有望達到1.21萬億美元，2025年至2030年的復合增長率約爲30%。

這個數據關鍵在於，2028年後AI基建投入仍有望繼續高速增長，有望平抑過去“擴產即過剩”的劇烈波動。盡管價格短期仍會有所起伏，但本輪周期的景氣持續時間有望大幅延長，從而改寫傳統的“三年周期律”。

當然，再強的景氣周期也不可能永遠持續，無論是三年還是五年，存儲芯片價格終究可能迎來調整。但相比三星、SK海力士、美光這些海外巨頭，長鑫科技還有一張特殊的牌，那就是國產替代。

在供應鏈安全與技術自主可控的趨勢下，國內科技企業在芯片採購中，將供應鏈的安全性與穩定度提升到了前所未有的戰略高度。

2023年，六部門提出強化存力保障、推動先進存儲技術創新。與此同時，美國自2022年以來持續收緊半導體出口管制，2024年將限制擴大至更多制造設備、軟件工具及HBM等領域，2025年又調整在華外資晶圓廠的相關豁免安排。

這讓國內科技企業採購芯片時，除了價格、性能，還要考慮供貨能否長期穩定。

長鑫作爲國內少數具備大規模DRAM研發制造能力的企業之一，有望承接更多國產替代需求。目前，長鑫已與阿裏雲、字節跳動、騰訊、聯想、小米、vivo、傳音、榮耀、OPPO等頭部企業開展合作，產品覆蓋雲計算、服務器、電腦和手機。

對三星、SK海力士、美光而言，增長主要來自全球需求擴張、產品升級和市場份額競爭。而長鑫則在這些機會之外，多了一層國產替代空間。即便行業增速放緩，它仍有機會爭取緩解周期陣痛、繼續增長。

這或許才是長鑫在本輪周期中，被高盛喊出近9萬億、甚至市值超過海外巨頭的關鍵。

錢賺到了，追趕還沒有結束

資本市場的狂歡之外，決定長鑫科技最終命運的，依然是其能否在先進制程與前沿技術上全面縮小與國際巨頭的差距。

這場技術追趕，長鑫已經持續投入了多年。

2023年至2025年，公司研發投入從46.70億元增加到95.93億元，兩年增長一倍多。2026年上半年，又投入68.59億元，同比增長87.38%。截至今年6月底，公司擁有4484項境內專利，其中發明專利3744項，另外還有3400項境外專利。

研發成果也逐步實現了商業化落地。公司產品線已成功從早期相對成熟的DDR4、LPDDR4X，跨越升級至DDR5、LPDDR5X及新一代LPDDR6，市場覆蓋面顯著擴大。

2026年9月20日，長鑫正式宣布其第五代內存技術平臺（G5平臺）實現量產，標志着公司迎來又一重要技術裏程碑。

這次升級的意義，首先體現在芯片產出上。按每顆芯片容量同爲8Gb的口徑折算，G5平臺每片晶圓能產出的芯片數量，比上一代至少增加50%。投入差不多的晶圓，長鑫能夠生產出更多芯片，也就有機會把單顆芯片的制造成本進一步降下來。

支撐這一變化的是制造工藝的持續改進。比如，長鑫通過調整工藝流程、引入新材料，將存儲電容的深寬比提高到了45∶1，通俗來說就是在很窄的空間裏，把電容結構做得更深，讓有限的芯片面積能夠容納更多存儲單元。

此外，在這次大會上，長鑫展示了兩款基於G5平臺打造的LPDDR5X移動內存產品，單顆容量達到24Gb，比2025年推出的上一代16Gb產品增加了50%。兩款產品採用不同的封裝規格，分別爲496Ball和245Ball，可以滿足中高端智能手機、便攜式電子設備等不同需求，目前都已進入規模量產階段。

在高端移動存儲領域，長鑫同樣取得了實質性突破。

9月7日，長鑫宣布LPDDR6成功實現量產商用，並首發搭載於小米18 Fold折疊屏旗艦手機。該產品封裝容量爲16GB，峯值傳輸速率高達12800Mbps。

然而，面對全球三大存儲巨頭的技術演進，長鑫的技術追趕依然面臨不小的代際差距。

在先進制程上，三星早在2023年5月即量產第五代12納米級DRAM，並於2026年2月實現採用第六代10納米級工藝（引入4納米邏輯制程）的HBM4量產；SK海力士與美光的第六代技術平臺也已實現規模化出貨。

在LPDDR6商業化進程上，SK海力士於今年3月宣布完成LPDDR6開發，傳輸速率達到10700Mbps，並計劃在下半年開始供貨。三星的16GB LPDDR6已通過高通新一代驍龍平臺驗證；美光亦已向客戶送樣。

更值得關注的差距，在HBM。

作爲AI算力芯片的核心配套，HBM是海外巨頭盈利能力最強、競爭最激烈的戰場。今年2月至二季度期間，三星、美光與SK海力士已先後宣布實現HBM4的規模化量產與客戶出貨。

相比之下，長鑫尚未公布同等商業化階段的HBM規模量產和業績貢獻數據。

對於長鑫科技而言，本輪存儲超級周期最大的意義，或許在於爲其贏得了寶貴的“戰略緩衝期”：芯片漲價帶來了豐厚的利潤現金流，AI浪潮開闢了長期的需求空間，而國產替代則鎖定了堅實的本土基本盤。

三股力量疊加，長鑫得到的不只是眼前的業績爆發，更是持續投入研發的資金、擴大生產規模的市場，以及追趕國際巨頭最寶貴的時間。

參考資料：

財新《長鑫科技上半年營收增長近9倍歸母淨利潤扭虧爲盈達788億元》

財新《長鑫科技第五代技術平臺量產存儲密度、功耗、成本控制均提升》

中國銀河證券《長鑫科技：稀缺DRAM廠商，國產替代從0到1突破》